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郑州混凝土地坪抛光液供应商

更新时间:2021-08-10 14:23:04 编号:49aglqa2bb1a0
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这两个概念主要出半导体加工过程中,初的半导体基片(衬底片)抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等,但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末,一种新的抛光技术——化学机械抛光技术(CMP Chemical Mechanical Polishing )取代了旧的方法。

抛光表面反应物脱离硅单晶表面,即解吸过程使未反应的硅单晶重新裸露出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程,要获得质量好的抛光片,使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用,则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用,则表面产生高损伤层。

氧化铝抛光液的硬度高,稳定性好,纳米级的氧化铝适用于光学镜头、单芯光纤连接器、微晶玻璃基板、晶体表面等的精密抛光,应用相当广泛。当前,以高亮度GaN基蓝光LED为核心的半导体照明技术在照明领域引起了很大的轰动,并成为全球半导体领域研究的热点。但GaN很难制备,在其它衬底晶片上外延生长薄膜,如蓝宝石晶片或碳化硅晶片,因此晶片的抛光也成为关注的焦点。



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